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簡單介紹：

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T-35型N封裝熱電偶，裸線部分使用Nicrosil-Nisil。比K熱電偶更耐氧化，熱起電力穩(wěn)定，在高溫下也可以使用。

特長：

※優(yōu)良的耐氧化性

與K熱電偶相比耐氧化性更優(yōu)良。封裝材料也使用鉻鎳鐵合金

溫度誤差

K熱電偶相比短距離?有序化影響較少的產品。

※短距離?有序化是…

溫度在250℃～550℃附近時使用K熱電偶進行溫度校正、正面誤差大量出現的現象。

N（Nicrosil-Nisil）
＋極	－極
鎳(84.6%)鉻(14%)和硅(1.4%)為主的合金	鎳(95.5％) 硅(4.4％)和鎂(0.1%)為主的合金

型號	尺寸(mm)			常用溫度	商品編碼
型號	直徑φ	長度(L)	套筒尺寸	常用溫度	商品編碼
T-35-1	1.0	100 200 300	φ6.4×36L	650℃	T35N101H T35N102H T35N103H
T-35-2	1.6	100 200 300	φ6.4×36L	650℃	T35N161H T35N162H T35N163H
T-35-3	2.3	100 200 300	φ8.0×36L	650℃	T35N231H T35N232H T35N233H
T-35-4	3.2	100 200 300	φ8.0×36L	750℃	T35N321H T35N322H T35N323H
T-35-5	4.8	100 200 300	φ10.0×43L	900℃	T35N481H T35N482H T35N483H